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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3105KRC14Copiar
No. Parte Newark34AH2699
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Información del producto
FabricanteROHM
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No. Parte Newark34AH2699
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id24A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia134W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
134W
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
24A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
