Los módulos de potencia MOSFET CoolSiC™ de Infineon abre oportunidades para que los diseñadores de inversores alcancen niveles impresionantes de eficiencia y densidad de potencia. Los módulos EasyPACK™ 1C y 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT de cuatro paquetes y tres niveles son dispositivos de 1200 V, 8 mΩ y 13 mΩ que cuentan con un sensor de temperatura NTC, material de interfaz térmica 2.0 preaplicado y tecnología de contacto PressFIT de alta corriente.
Características y beneficios
Características
- Concepto de paquete mejorado
- Tecnología de interconexión .XT
- Tecnología de chip CoolSiC M2
- Clavijas PressFIT de alta corriente
- Sensor de temperatura NTC integrado
- Condiciones de sobrecarga: TVJ superior a 200 °C
- Intervalo ampliado de tensión de la fuente de la puerta
- Material de la interfaz térmica (TIM) 2.0
Ventajas
- Excelente eficiencia del módulo
- Mejora de la eficiencia del sistema
- Mayor vida útil
- Capacidad de resistencia a altas temperaturas
- Reducción de pérdidas estáticas
- Diseño compacto
- Compatibilidad total con EasyPACK™ serie B
Aplicaciones
Convertidor de refuerzo de CC-CC de célula de combustible
Carga de EV
Productos destacados
F4-13MXTR12C1M2_H11
EasyPACK™ 1C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT, módulo de cuatro paquetes de 1200 V, 13 MΩ con sensor de temperatura NTC y tecnología de contacto PressFIT de alta corriente
F4-13MXTR12C1M2Q_H11
EasyPACK™ 1C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT, módulo de cuatro paquetes de 1200 V, 13 MΩ con sensor de temperatura NTC, material de interfaz térmica 2.0 preaplicado y tecnología de contacto PressFIT de alta corriente
F3L8MXTR12C2M2_H11
EasyPACK™ 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT, módulo de tres niveles de 1200 V, 8 MΩ con sensor de temperatura NTC y tecnología de contacto PressFIT de alta corriente
F3L8MXTR12C2M2Q_H11
EasyPACK™ 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT, módulo de tres niveles de 1200 V, 8 MΩ con sensor de temperatura NTC, material de interfaz térmica 2.0 preaplicado y tecnología de contacto PressFIT de alta corriente
F4-8MXTR12C2M2_H11
EasyPACK™ 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT, módulo de cuatro paquetes de 1200 V, 8 MΩ con sensor de temperatura NTC y tecnología de contacto PressFIT de alta corriente
F4-8MXTR12C2M2Q_H11
EasyPACK™ 2C CoolSiC™ MOSFET M2 .XT, módulo de cuatro paquetes de 1200 V, 8 MΩ con sensor de temperatura NTC, material de interfaz térmica 2.0 preaplicado y tecnología de contacto PressFIT de alta corriente