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SEMIX 503GB126HD
Módulo IGBT, Doble, 490 A, 2.15 V, 150 °C, Module
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Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 27 semana(s)
Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSEMIX 503GB126HD
No. Parte Newark09J5170
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTDoble
Corriente de Colector DC490A
Corriente del Colector Continua490A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.15V
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.15V
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
No. de Pines20Pines
Terminación del IGBTPerno
Tecnología IGBTIGBT 3 [Zanja]
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente de Colector DC
490A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.15V
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
No. de Pines
20Pines
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Zanja]
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
Doble
Corriente del Colector Continua
490A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.15V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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