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SK 30 GD 066 ET
Módulo IGBT, Paquete de Seis [Puente Completo], 40 A, 600 V, 175 °C
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10+ | $82.540 |
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSK 30 GD 066 ET
No. Parte Newark77R2239
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración IGBTPaquete de Seis [Puente Completo]
Corriente del Colector Continua40A
Corriente de Colector DC40A
Voltaje de Saturación Colector Emisor600V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)600V
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo900mV
Diseño de Transistor-
No. de Pines25Pines
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Tecnología IGBTIGBT 3 [Zanja]
Voltaje Máx. Colector a Emisor900mV
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Corriente del Colector Continua
40A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
600V
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
900mV
No. de Pines
25Pines
Tecnología IGBT
IGBT 3 [Zanja]
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Configuración IGBT
Paquete de Seis [Puente Completo]
Corriente de Colector DC
40A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
600V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
-
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor
900mV
Rango de Producto
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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