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SKM150GAL12T4
IGBT Array & Module Transistor, NPN, 232 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 5+ | $132.720 |
| 16+ | $124.320 |
| 32+ | $115.920 |
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM150GAL12T4
No. Parte Newark55X3185
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSingle
Corriente del Colector Continua232A
Corriente de Colector DC0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia-
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 Fast [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Single
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente del Colector Continua
232A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
IGBT 4 Fast [Trench]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SKM150GAL12T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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