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SKM200GB12E4
Módulo IGBT, Medio Puente, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 33 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $235.690 |
| 5+ | $221.550 |
| 10+ | $209.770 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$235.69
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM200GB12E4
No. Parte Newark55X3191
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua313A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
313A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8V
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SKM200GB12E4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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