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SKM300GB12T4
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 422 A, 1.85 V, 1.2 kV, Module RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM300GB12T4
No. Parte Newark55X3196
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBT0
Corriente de Colector DC0
Corriente de Colector Continua422A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Diseño de Transistor0
Terminación del IGBT0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBT0
Montaje de Transistor0
Rango de Producto0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)0
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
0
Corriente de Colector Continua
422A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
0
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Terminación del IGBT
0
Tecnología IGBT
0
Rango de Producto
0
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SKM300GB12T4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:0
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto