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SKM50GB12V
Módulo IGBT, Medio Puente, 79 A, 1.2 kV, 175 °C, SEMITRANS 2
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $89.500 |
| 16+ | $84.790 |
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Mínimo: 8
Múltiple: 8
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Información del producto
FabricanteSEMIKRON
No. Parte FabricanteSKM50GB12V
No. Parte Newark77R2589
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTMedio Puente
Corriente del Colector Continua79A
Corriente de Colector DC79A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.2kV
Disipación de Potencia-
Disipación de Potencia Pd-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo940mV
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Temperatura de Union, Tj Máx.175°C
Diseño de TransistorSEMITRANS 2
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTPerno
Tecnología IGBTV-IGBT
Voltaje Máx. Colector a Emisor940mV
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jun-2015)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Medio Puente
Corriente de Colector DC
79A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.2kV
Disipación de Potencia Pd
-
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Diseño de Transistor
SEMITRANS 2
Terminación del IGBT
Perno
Voltaje Máx. Colector a Emisor
940mV
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
79A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
940mV
Temperatura de Union, Tj Máx.
175°C
No. de Pines
7Pines
Tecnología IGBT
V-IGBT
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jun-2015)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza SKM50GB12V
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jun-2015)
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