Imprimir página
GD100HFY120C1S
Módulo IGBT, Medio Puente, 155 A, 2 V, 511 W, 150 °C, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
20 En Stock
¿Necesita más?
4 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
16 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $65.790 |
| 5+ | $64.590 |
| 10+ | $63.360 |
| 48+ | $62.740 |
| 72+ | $62.120 |
| 120+ | $59.690 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$65.79
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD100HFY120C1S
No. Parte Newark93AC7039
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Corriente del Colector Continua155
Corriente de Colector DC155A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2V
Disipación de Potencia Pd511W
Disipación de Potencia511
Temperatura de Trabajo Máx.150
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Diseño de TransistorModule
No. de Pines7Pines
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
155
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2
Disipación de Potencia Pd
511W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente de Colector DC
155A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2V
Disipación de Potencia
511
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto