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GD1200HFY120C3S
IGBT MODULE, 1.2KV, 2.23KA ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD1200HFY120C3S
No. Parte Newark25AK0612
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $660.490 |
| 5+ | $654.010 |
| 16+ | $647.700 |
| 32+ | $622.250 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$660.49
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD1200HFY120C3S
No. Parte Newark25AK0612
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua2.23kA
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia8.196kW
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Tecnología IGBTTrench
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
2.23kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
8.196kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Tecnología IGBT
Trench
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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