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GD1200HFY120C3S
IGBT MODULE, 1.2KV, 2.23KA ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD1200HFY120C3S
No. Parte Newark25AK0612
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $670.280 |
| 5+ | $663.690 |
| 16+ | $657.290 |
| 32+ | $631.460 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$670.28
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD1200HFY120C3S
No. Parte Newark25AK0612
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua2.23kA
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Disipación de Potencia8.196kW
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTTrench
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
2.23kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
8.196kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
Trench
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto