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GD1200SGX170C3SN
IGBT MODULE, 1.7KV, 1.2KA
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD1200SGX170C3SNCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark25AK0613
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $392.620 |
| 5+ | $386.790 |
| 18+ | $381.130 |
| 27+ | $358.250 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$392.62
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD1200SGX170C3SNCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark25AK0613
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSingle
Corriente del Colector Continua1.2kA
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBTTrench
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Single
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85V
Disipación de Potencia
-
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
1.2kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
Trench
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto