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GD150HFX65C1S
Módulo IGBT, Medio Puente, 180 A, 1.45 V, 437 W, 150 °C, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $70.530 |
| 5+ | $69.260 |
| 10+ | $67.920 |
| 48+ | $67.260 |
| 72+ | $66.610 |
| 120+ | $63.990 |
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD150HFX65C1S
No. Parte Newark84AH5713
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua180A
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Disipación de Potencia437W
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
180A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
437W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto