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GD3600SGY120C4S
Módulo IGBT, Sencillo, 4.302 kA, 1.7 V, 11.9 kW, 150 °C, Module
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD3600SGY120C4S
No. Parte Newark25AK0622
Hoja de datos técnicos
8 En Stock
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Pedido antes de las 9 p.m.
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $1,165.200 |
5+ | $1,153.750 |
16+ | $1,142.640 |
32+ | $1,097.730 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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$1,165.20
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD3600SGY120C4S
No. Parte Newark25AK0622
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTSingle
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua4.302kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.7V
Disipación de Potencia11.9kW
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTTrench
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Single
Corriente del Colector Continua
4.302kA
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.7V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
11.9kW
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
Trench
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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