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GD50HFU120C1S
Módulo IGBT, Medio Puente, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Module
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD50HFU120C1SCopiar
No. Parte Newark25AK0626
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $56.640 |
| 5+ | $54.380 |
| 10+ | $52.090 |
| 48+ | $49.770 |
| 72+ | $47.270 |
| 120+ | $46.530 |
| 264+ | $45.430 |
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD50HFU120C1SCopiar
No. Parte Newark25AK0626
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua78
Voltaje de Saturación Colector Emisor3.15
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia414
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Tecnología IGBTNPT IGBT [Standard]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
78
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
414
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
3.15
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Tecnología IGBT
NPT IGBT [Standard]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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