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GD50HFU120C1S
Módulo IGBT, Medio Puente, 78 A, 3.15 V, 414 W, 150 °C, Module
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | STARPOWER |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | GD50HFU120C1SCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 semanas |
| No. Parte Newark | 25AK0626 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
230 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $47.280 |
| 5+ | $41.840 |
| 10+ | $40.100 |
| 25+ | $38.330 |
| 50+ | $36.420 |
| 100+ | $35.850 |
| 250+ | $35.010 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$47.28
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Información del producto
| Fabricante | STARPOWER |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | GD50HFU120C1SCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 24 semanas |
| No. Parte Newark | 25AK0626 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Configuración IGBT | Half Bridge |
| Corriente de Colector DC | 0 |
| Corriente del Colector Continua | 78 |
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 0 |
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 3.15 |
| Disipación de Potencia | 414 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Temperatura de Union, Tj Máx. | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Diseño de Transistor | Module |
| Terminación del IGBT | Stud |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 1.2 |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 0 |
| Tecnología IGBT | NPT IGBT [Standard] |
| Montaje de Transistor | Panel |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | To Be Advised |
Especificaciones técnicas
| Configuración IGBT | Half Bridge |
|---|---|
| Corriente del Colector Continua | 78 |
| Voltaje de Saturación Colector Emisor | 3.15 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Terminación del IGBT | Stud |
| Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo | 0 |
| Montaje de Transistor | Panel |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | To Be Advised |
| Corriente de Colector DC | 0 |
|---|---|
| Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on) | 0 |
| Disipación de Potencia | 414 |
| Temperatura de Union, Tj Máx. | 0 |
| Diseño de Transistor | Module |
| Voltaje Máx. Colector a Emisor | 1.2 |
| Tecnología IGBT | NPT IGBT [Standard] |
| Rango de Producto | - |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | To Be Advised |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |