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GD50HFX65C1S
Módulo IGBT, Medio Puente, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $52.670 |
| 5+ | $50.750 |
| 10+ | $48.800 |
| 48+ | $46.810 |
| 72+ | $44.670 |
| 120+ | $44.040 |
| 264+ | $43.090 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD50HFX65C1S
No. Parte Newark25AK0628
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua75A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.45V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia205W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor650V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Tecnología IGBTTrench
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente del Colector Continua
75A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.45V
Disipación de Potencia
205W
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650V
Tecnología IGBT
Trench
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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