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GD650HFX170P1S
TRANSISTOR, MÃDULO IGBT, 1.7KV, 1.073KA
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FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD650HFX170P1SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark84AH5749
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $352.830 |
| 6+ | $347.590 |
| 12+ | $342.510 |
| 27+ | $321.960 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTARPOWER
No. Parte FabricanteGD650HFX170P1SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark84AH5749
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTHalf Bridge
Corriente del Colector Continua1.073kA
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.9V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia4.2kW
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.7kV
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Half Bridge
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.9V
Disipación de Potencia
4.2kW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.7kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Corriente del Colector Continua
1.073kA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto