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2N2222A
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 600 mA, 500 mW, TO-18, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte Fabricante2N2222ACopiar
No. Parte Newark89K1151
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte Fabricante2N2222ACopiar
No. Parte Newark89K1151
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Corriente del Colector Continua600
Disipación de Potencia Pd500mW
Disipación de Potencia500
Corriente de Colector DC600mA
Ganancia de Corriente DC hFE300hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-18
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición300
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.300
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Alternativas para el número de pieza 2N2222A
2 productos encontrados
Resumen del producto
El 2N2222A de STMicroelectronics es un transistor epitaxial planar de silicio NPN through hole con encapsulado TO-18. Este transistor diseñado como interruptor de alta velocidad cuenta con poca corriente de fuga, poco voltaje de saturación y ganancia de corriente útil en un amplio rango de corriente de colector. Típicamente adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
- El voltaje de colector a emisor (Vce) es de 40V
- La corriente de colector (Ic) es de 0.6A
- Disipación de energía (Pd) de 1.8W
- Voltaje de saturación de colector a emisor de 1V a 500mA de corriente de colector
- Ganancia de corriente CC (hFE) de 35 con corriente de colector de 0.1mA
- Rango de temperatura de unión de 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Disipación de Potencia Pd
500mW
Corriente de Colector DC
600mA
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
300
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Corriente del Colector Continua
600
Disipación de Potencia
500
Ganancia de Corriente DC hFE
300hFE
Diseño de Transistor
TO-18
Frecuencia de Transición
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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