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Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $177.640 |
5+ | $172.130 |
10+ | $166.610 |
36+ | $161.100 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteA2U8M12W3-FC
No. Parte Newark12AM6153
Configuración de Módulo MOSFETThreePack
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id180A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0125ohm
Diseño de TransistorACEPACK 2
No. de Pines36Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.2V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
ThreePack
Intensidad Drenador Continua Id
180A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0125ohm
No. de Pines
36Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.2V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
ACEPACK 2
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
-
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto