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ADP280120W3
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 275A, ACEPACK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteADP280120W3
No. Parte Newark16AM5004
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1,860.040 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteADP280120W3
No. Parte Newark16AM5004
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSixPack
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id275
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00505
Diseño de TransistorACEPACK DRIVE
No. de Pines30Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4
Disipación de Potencia549
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
SixPack
Intensidad Drenador Continua Id
275
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00505
No. de Pines
30Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
ACEPACK DRIVE
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
549
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto