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ADP480120W3
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 488A, ACEPACK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark16AM5005
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1,428.970 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteADP480120W3Copiar
No. Parte Newark16AM5005
Configuración de Módulo MOSFETSixPack
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id488A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2600µohm
Diseño de TransistorACEPACK DRIVE
No. de Pines30Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4V
Disipación de Potencia869W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
SixPack
Intensidad Drenador Continua Id
488A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2600µohm
No. de Pines
30Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
ACEPACK DRIVE
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
869W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto