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BD682
TRANSISTOR, PNP, -100V, -4A, SOT32
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark64AH2631
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark64AH2631
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Disipación de Potencia Pd40W
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC4A
Encapsulado de Transistor RFSOT-32
No. de Pines3Pines
Diseño de Transistor0
Ganancia de Corriente DC hFE750hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Corriente del Colector Continua
0
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
SOT-32
Diseño de Transistor
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Disipación de Potencia Pd
40W
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector DC
4A
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
750hFE
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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