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BD912
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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| 1+ | $2.190 |
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| 500+ | $0.844 |
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| 2500+ | $0.656 |
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Información del producto
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Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark25M7737
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Corriente del Colector Continua15A
Disipación de Potencia90W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-220AB
Corriente de Colector DC0
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición3MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Disipación de Potencia
90W
Diseño de Transistor
TO-220AB
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
40hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
15A
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
3MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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