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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBU931PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark25M7958
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteBU931PCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark25M7958
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo400
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Disipación de Potencia Pd135
Corriente del Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Corriente de Colector DC15
Disipación de Potencia0
Encapsulado de Transistor RFSOT-93
No. de Pines3Pines
Diseño de Transistor0
Ganancia de Corriente DC hFE300
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.175
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
BU931P is an automotive-grade high voltage ignition coil driver NPN power darlington transistor developed using multi-epitaxial planar technology. It has been properly designed for automotive environment as electronic ignition power actuators. Application includes high ruggedness electronic ignitions.
- AEC-Q101 qualified
- Very rugged bipolar technology, high operating junction temperature
- 100μA max collector cut-off current (VBE = 0V, VCE = 500V, TC = 25°C)
- 20mA max emitter cut-off current (IC= 0A, VEB = 5V, TC = 25°C)
- 400V min collector-emitter sustaining voltage (B= 0A, IC = 100mA, TC = 25°C)
- 300 min DC current gain (IC = 5A, VCE = 10V, TC = 25°C)
- 2.5V max diode forward voltage (IF = 10A, TC = 25°C)
- 15μs typ storage time (VBE=0, VCC = 12V, Vclamp = 300V, L = 7mH, TC = 25°C)
- 0.5μs typ fall time (VBE=0, VCC = 12V, Vclamp = 300V, L = 7mH, TC = 25°C)
- TO-247 package, operating junction temperature range from -65 to 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Corriente del Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
15
Encapsulado de Transistor RF
SOT-93
Diseño de Transistor
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
400
Disipación de Potencia Pd
135
Frecuencia de Transición
0
Disipación de Potencia
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
