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BULD118D-1
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 400 V, 2 A, 20 W, TO-251, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark45AC6385
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.520 |
| 10+ | $0.717 |
| 100+ | $0.649 |
| 500+ | $0.552 |
| 1000+ | $0.478 |
| 2500+ | $0.447 |
| 10000+ | $0.416 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
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Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark45AC6385
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor400
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo400V
Corriente del Colector Continua2
Disipación de Potencia20
Disipación de Potencia Pd20W
Corriente de Colector DC2A
Diseño de TransistorTO-251
Ganancia de Corriente DC hFE8hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.8
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
400V
Disipación de Potencia
20
Corriente de Colector DC
2A
Ganancia de Corriente DC hFE
8hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
8
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400
Corriente del Colector Continua
2
Disipación de Potencia Pd
20W
Diseño de Transistor
TO-251
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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