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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteIRF630Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark72K7167
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| 100+ | $0.690 |
| 500+ | $0.596 |
| 1000+ | $0.521 |
| 2500+ | $0.421 |
| 10000+ | $0.409 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteIRF630Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark72K7167
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente400
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The IRF630 from STMicroelectronics is a through hole, 200V N channel mesh overlay II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout based MESH OVERLAY process which matches and improves the performances. Features extremely high dv/dt capability, very low intrinsic capacitances and gate charge minimized.
- Drain to source voltage (Vds) is 200V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) is 9A
- Power dissipation (Pd) is 75W
- Operating junction temperature range from -65°C to 150°C
- Gate threshold voltage of 3V
- Low on state resistance of 350mohm at Vgs 10V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
400
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
9
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza IRF630
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
