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MJD32CT4
TRANSISTOR, BJT, PNP, -100V, -3A, TO-252
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteMJD32CT4
No. Parte Newark06X0514
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.120 |
| 10+ | $0.716 |
| 100+ | $0.475 |
| 500+ | $0.375 |
| 1000+ | $0.325 |
| 2500+ | $0.282 |
| 10000+ | $0.256 |
| 25000+ | $0.246 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteMJD32CT4
No. Parte Newark06X0514
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Corriente del Colector Continua3A
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia15W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50hFE
Ganancia de Corriente DC hFE0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
-
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
3A
Disipación de Potencia
15W
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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