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MJE3055T
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 3 A, 400 RoHS Compliant: Yes
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteMJE3055T
No. Parte Newark34X0709
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.890 |
| 10+ | $1.650 |
| 100+ | $0.896 |
| 500+ | $0.752 |
| 1000+ | $0.713 |
| 2500+ | $0.669 |
| 10000+ | $0.612 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteMJE3055T
No. Parte Newark34X0709
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector Continua10A
Disipación de Potencia75W
Disipación de Potencia Pd0
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTO-220
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorThrough Hole
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición2MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.400hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Disipación de Potencia
75W
Corriente de Colector DC
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
400hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Corriente de Colector Continua
10A
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-220
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
2MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza MJE3055T
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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