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PD57060S-E
Transistor FET RF, 65 V, 7 A, 79 W, 945 MHz, PowerSO-10RF
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD57060S-E
No. Parte Newark45AC7469
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $67.090 |
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Múltiple: 1
$67.09
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricantePD57060S-E
No. Parte Newark45AC7469
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds65V
Intensidad Drenador Continua Id7A
Disipación de Potencia79W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Disipación de Potencia Pd79W
Frecuencia de Funcionamiento Máx.945MHz
Diseño de TransistorPowerSO-10RF
Núm. de Contactos3Pines
Encapsulado de Transistor RFPowerSO-10RF
Temperatura de Trabajo Máx.165°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorFlange
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
65V
Disipación de Potencia
79W
Disipación de Potencia Pd
79W
Diseño de Transistor
PowerSO-10RF
Encapsulado de Transistor RF
PowerSO-10RF
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
7A
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
945MHz
Núm. de Contactos
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
165°C
Montaje de Transistor
Flange
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto