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SCT10N120
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 12A, HIP247-3
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT10N120
No. Parte Newark07AH6931
Hoja de datos técnicos
301 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.240 |
| 10+ | $10.730 |
| 25+ | $9.220 |
| 60+ | $7.720 |
| 120+ | $7.410 |
| 270+ | $7.110 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$12.24
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT10N120
No. Parte Newark07AH6931
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id12
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.5
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.5
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto