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SCT10N120
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT10N120
No. Parte Newark07AH6931
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $11.710 |
| 10+ | $11.330 |
| 25+ | $7.820 |
| 50+ | $7.580 |
| 100+ | $7.340 |
| 250+ | $7.100 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCT10N120
No. Parte Newark07AH6931
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id12A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.5ohm
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia150W
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.5ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5V
Disipación de Potencia
150W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto