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SCTH40N120G2V-7
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 36 A, 1.2 kV, 70 mohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTH40N120G2V-7
No. Parte Newark45AJ7671
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $25.950 |
| 10+ | $24.640 |
| 25+ | $23.830 |
| 50+ | $23.140 |
| 100+ | $22.490 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTH40N120G2V-7
No. Parte Newark45AJ7671
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id36
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente70
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorH2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.45
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia238
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.45
Disipación de Potencia
238
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
70
Diseño de Transistor
H2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto