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SCTWA60N120G2-4
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 35 mohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA60N120G2-4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark57AJ5663
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187 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $27.960 |
| 5+ | $26.300 |
| 10+ | $24.620 |
| 25+ | $24.140 |
| 50+ | $23.650 |
| 100+ | $23.210 |
| 250+ | $22.780 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA60N120G2-4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark57AJ5663
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia389
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
389
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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