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SCTWA70N120G2V-4
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA70N120G2V-4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark74AJ1813
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $47.800 |
| 5+ | $43.870 |
| 10+ | $39.950 |
| 25+ | $39.160 |
| 50+ | $38.350 |
| 100+ | $37.560 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSCTWA70N120G2V-4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark74AJ1813
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id91
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.021
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHiP247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.45
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia547
Temperatura de Trabajo Máx.200
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.45
Disipación de Potencia
547
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
91
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.021
Diseño de Transistor
HiP247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
200
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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