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STD13N65M2
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD13N65M2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7533
Cinta adhesiva45AC7533
Rango de ProductoMDmesh M2
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2,149 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.380 | $2.38 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.38 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.380 |
| 10+ | $1.330 |
| 25+ | $1.210 |
| 50+ | $1.100 |
| 100+ | $0.980 |
| 250+ | $0.914 |
| 500+ | $0.848 |
| 1000+ | $0.780 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD13N65M2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7533
Cinta adhesiva45AC7533
Rango de ProductoMDmesh M2
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia de Activación Rds(on)0.37ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.37
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh M2
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0.37ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh M2
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.37
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
110W
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD13N65M2
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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