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STD1NK80ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 1 A, 16 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK80ZT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6456
Re-reeling (Rollos a medida)33R1143RL
Cinta adhesiva33R1143
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3,143 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.290 | $1.29 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.29 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.290 |
| 50+ | $0.898 |
| 100+ | $0.761 |
| 250+ | $0.691 |
| 500+ | $0.620 |
| 1000+ | $0.576 |
| 2500+ | $0.490 |
| 5000+ | $0.464 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.651 |
| 7500+ | $0.594 |
| 12500+ | $0.582 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD1NK80ZT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6456
Re-reeling (Rollos a medida)33R1143RL
Cinta adhesiva33R1143
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente16ohm
Resistencia de Activación Rds(on)13ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia Pd45W
Disipación de Potencia45W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET SuperMESH™ de 800 V y 1 A con protección Zener de canal N en paquete DPAK de 3 pines
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- Probado avalancha 100%
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
- Carga de puerta minimizada
- Optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST
- Adecuado para adaptadores de CA, cargadores de batería y SMPS
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
16ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
45W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia de Activación Rds(on)
13ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
Disipación de Potencia
45W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD1NK80ZT4
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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