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STD25N10F7
MOSFET, CANAL P, 100V, 25A, 40W, TO-252
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD25N10F7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)07AH6960
Cinta adhesiva07AH6960
Rango de ProductoSTripFET VII DeepGATE
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2,667 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.590 | $1.59 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.59 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.590 |
| 10+ | $1.010 |
| 25+ | $0.898 |
| 50+ | $0.785 |
| 100+ | $0.671 |
| 250+ | $0.599 |
| 500+ | $0.526 |
| 1000+ | $0.485 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD25N10F7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)07AH6960
Cinta adhesiva07AH6960
Rango de ProductoSTripFET VII DeepGATE
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id25A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.027ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia40W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET VII DeepGATE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.027ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET VII DeepGATE
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
25A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia
40W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD25N10F7
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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