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STD35NF06LT4
MOSFET POT, CANAL N, 60V, 17.5A
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35NF06LT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6478
Re-reeling (Rollos a medida)33R1160RL
Cinta adhesiva33R1160
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23,995 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.230 | $2.23 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.23 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.230 |
| 50+ | $1.220 |
| 100+ | $1.120 |
| 250+ | $1.040 |
| 500+ | $0.953 |
| 1000+ | $0.898 |
| 2500+ | $0.880 |
| 5000+ | $0.862 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.912 |
| 7500+ | $0.846 |
| 12500+ | $0.829 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35NF06LT4Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6478
Re-reeling (Rollos a medida)33R1160RL
Cinta adhesiva33R1160
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id17.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.017ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia80W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STD35NF06LT4 es un MOSFET de potencia de canal N de 60V desarrollado con un proceso STripFET único, que está diseñado específicamente para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la puerta. Esto hace que el MOSFET sea adecuado para su uso como interruptor principal en convertidores CD-CD aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones informáticas y de telecomunicaciones y aplicaciones con requisitos de conducción de carga de compuerta baja.
- Unidad de umbral bajo
- Carga de puerta minimizada
- Alto pico de potencia
- Alta capacidad de robustez
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
17.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.017ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
80W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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