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STD35P6LLF6
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35P6LLF6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo51AM4752
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7540
Cinta adhesiva45AC7540
Rango de ProductoSTripFET F6
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4,513 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.390 | $2.39 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.39 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.390 |
| 10+ | $1.600 |
| 25+ | $1.460 |
| 50+ | $1.310 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.773 |
| 5000+ | $0.702 |
| 10000+ | $0.632 |
| 15000+ | $0.609 |
| 25000+ | $0.596 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD35P6LLF6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo51AM4752
Re-reeling (Rollos a medida)45AC7540
Cinta adhesiva45AC7540
Rango de ProductoSTripFET F6
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id35A
Resistencia de Activación Rds(on)0.025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia70W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoSTripFET F6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure.
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.025ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET F6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
70W
Disipación de Potencia
70W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD35P6LLF6
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto