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STD3NK80Z-1
MOSFET, N CH, 800V, 2,5A, IPAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark33R1154
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.880 |
| 10+ | $1.270 |
| 150+ | $1.200 |
| 525+ | $1.070 |
| 1050+ | $0.928 |
| 2550+ | $0.759 |
| 10050+ | $0.721 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD3NK80Z-1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark33R1154
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id2.5
Resistencia de Activación Rds(on)3.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.8
Diseño de TransistorTO-251AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd70W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia70
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
3.8ohm
Diseño de Transistor
TO-251AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.8
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
70W
Disipación de Potencia
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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