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STD4NK80ZT4
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 1.5 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD4NK80ZT4
No. Parte Newark33R1164
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.430 |
| 10+ | $1.940 |
| 25+ | $1.700 |
| 50+ | $1.500 |
| 100+ | $1.270 |
| 250+ | $1.100 |
| 500+ | $0.867 |
| 1000+ | $0.818 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD4NK80ZT4
No. Parte Newark33R1164
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3ohm
Resistencia de Activación Rds(on)3ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd80W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia80W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STD4NK80ZT4 es un MOSFET de potencia de canal N SuperMESH™ que ofrece protección Zener y carga de puerta minimizada. El SuperMESH™ se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de reducir significativamente la resistencia de ENCENDIDO, se toman especialidades para garantizar una muy buena capacidad dV/dt para las aplicaciones más exigentes. Este MOSFET complementa la gama ST completa de MOSFET de potencia de alto voltaje, incluidos los revolucionarios productos MDmesh™.
- 100% prueba de avalancha
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
3ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
80W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
80W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STD4NK80ZT4
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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Trazabilidad del producto