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STD8NF25
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 8 A, 0.318 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark45AC7544
Rango de ProductoSTripFET II
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 1+ | $1.390 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTD8NF25Copiar
No. Parte Newark45AC7544
Rango de ProductoSTripFET II
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia de Activación Rds(on)0.318ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.318
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd72W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia72
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoSTripFET II
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250
Resistencia de Activación Rds(on)
0.318ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
72W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
STripFET II
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.318
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
72
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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