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STFW3N150
MOSFET, N CH, 1500 V, 2,5A, TO3PF
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark94T3364
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| 1+ | $4.830 |
| 10+ | $2.680 |
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| 60+ | $2.190 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTFW3N150Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark94T3364
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.5kV
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-3PF
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia63W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.5kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9ohm
Diseño de Transistor
TO-3PF
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
63W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza STFW3N150
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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