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STGWA100H65DFB2
IGBT, 145 A, 1.55 V, 441 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA100H65DFB2Copiar
No. Parte Newark89AH1340
Rango de ProductoHB2
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGWA100H65DFB2Copiar
No. Parte Newark89AH1340
Rango de ProductoHB2
Corriente del Colector Continua145
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.55
Disipación de Potencia441
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor650
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoHB2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Corriente del Colector Continua
145
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
441
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Diseño de Transistor
TO-247
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
HB2
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.55
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
650
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto