Imprimir página
STH13N120K5-2AG
MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 12A, 150°C, 250W
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH13N120K5-2AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69AH2745RL
Cinta adhesiva69AH2745
Rango de ProductoMDmesh K5
Su número de pieza
634 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $15.210 | $15.21 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $15.21 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.210 |
| 50+ | $9.660 |
| 100+ | $9.460 |
| 250+ | $9.260 |
| 500+ | $9.070 |
| 1000+ | $8.880 |
| 2500+ | $8.700 |
| 5000+ | $8.510 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH13N120K5-2AGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)69AH2745RL
Cinta adhesiva69AH2745
Rango de ProductoMDmesh K5
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.62ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorH2PAK-2
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia250W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh K5
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.62ohm
Diseño de Transistor
H2PAK-2
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
MDmesh K5
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto