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STH3N150-2
MOSFET de Potencia, Canal N, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, H2PAK-2, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH3N150-2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98Y2479RL
Cinta adhesiva98Y2479
Rango de ProductoPowerMESH
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37,045 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $7.710 | $7.71 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $7.71 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.710 |
| 50+ | $5.500 |
| 100+ | $4.290 |
| 250+ | $4.250 |
| 500+ | $4.000 |
| 1000+ | $3.910 |
| 2500+ | $3.840 |
| 5000+ | $3.750 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTH3N150-2Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98Y2479RL
Cinta adhesiva98Y2479
Rango de ProductoPowerMESH
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.5kV
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9ohm
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Diseño de TransistorH2PAK-2
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia140W
Disipación de Potencia Pd140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoPowerMESH
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia PowerMESH™ de canal N de 1500V y 2.5A en paquete H2PAK-2 de 3 pines
- Probado avalancha 100%
- Capacidades intrínsecas y Qg minimizados
- Conmutación de alta velocidad
- Diseñado utilizando el proceso MESHOVERLAY™ consolidado basado en el diseño de tiras
- Apto para aplicaciones de conmutación
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.5kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9ohm
Diseño de Transistor
H2PAK-2
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
PowerMESH
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto