Imprimir página
STL45N60DM6
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 25 A, 0.094 ohm, PowerFLAT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL45N60DM6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51AH8003RL
Cinta adhesiva51AH8003
Rango de ProductoMDmesh DM6
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $8.600 | $8.60 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $8.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.600 |
| 50+ | $4.910 |
| 100+ | $4.560 |
| 250+ | $4.480 |
| 500+ | $4.410 |
| 1000+ | $4.330 |
| 2500+ | $4.230 |
| 5000+ | $4.150 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTL45N60DM6Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51AH8003RL
Cinta adhesiva51AH8003
Rango de ProductoMDmesh DM6
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.094
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerFLAT
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia160
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoMDmesh DM6
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.094
Diseño de Transistor
PowerFLAT
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
160
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
MDmesh DM6
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto