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STN1HNK60
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1HNK60Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07X1951
Re-reeling (Rollos a medida)33R1234RL
Cinta adhesiva33R1234
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8,478 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.890 | $9.45 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $9.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.890 |
| 10+ | $1.220 |
| 15+ | $1.130 |
| 25+ | $1.060 |
| 50+ | $0.979 |
| 125+ | $0.833 |
| 250+ | $0.750 |
| 500+ | $0.668 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.561 |
| 12000+ | $0.511 |
| 20000+ | $0.502 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN1HNK60Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07X1951
Re-reeling (Rollos a medida)33R1234RL
Cinta adhesiva33R1234
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd3.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia3.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El STN1HNK60 es un MOSFET SuperMESH™ de canal N de 600V con una optimización extrema del diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de reducir significativamente la resistencia, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- Capacidad ESD mejorada
- 100% prueba de avalancha
- Nuevo punto de referencia de alta tensión
- Carga de puerta minimizada
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
3.3W
Disipación de Potencia
3.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STN1HNK60
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto