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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN3N45K3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark94T3445
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.180 |
| 10+ | $0.888 |
| 100+ | $0.599 |
| 500+ | $0.472 |
| 1000+ | $0.430 |
| 2500+ | $0.341 |
| 12000+ | $0.321 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTN3N45K3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark94T3445
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds450V
Intensidad Drenador Continua Id600mA
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.2ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75V
Disipación de Potencia2W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
450V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
600mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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