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STP10NK80ZFP
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 9 A, 0.78 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP10NK80ZFPCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark26M3664
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP10NK80ZFPCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark26M3664
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id9
Resistencia de Activación Rds(on)0.78ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.78
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.75
Disipación de Potencia40
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El STP10NK80ZFP es un MOSFET de potencia Zener protegido por canal N de 800V desarrollado con tecnología SuperMESH™, que se logra a través de la optimización de un diseño PowerMESH™ basado en tiras bien establecido. Además de una reducción significativa en la resistencia, este MOSFET está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes. Carga de compuerta mejorada y menor disipación de energía para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.
- Capacidad dv/dt extremadamente alta
- 100% probado de avalancha
- Carga de puerta minimizada
- Capacitancia intrínseca muy baja
- Muy buena repetibilidad de fabricación.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia de Activación Rds(on)
0.78ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.75
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.78
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
40W
Disipación de Potencia
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza STP10NK80ZFP
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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