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STP25N80K5
MOSFET, N-CH, 800V, 19.5A, TO-220 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
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No. Parte Newark47AK7007
Rango de ProductoMDmesh K5 Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.980 |
| 10+ | $3.150 |
| 25+ | $3.050 |
| 50+ | $2.960 |
| 100+ | $2.870 |
| 250+ | $2.740 |
| 500+ | $2.590 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTP25N80K5Copiar
No. Parte Newark47AK7007
Rango de ProductoMDmesh K5 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id19.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia250W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoMDmesh K5 Series
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
250W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
MDmesh K5 Series
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
19.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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